প্রতিরক্ষা খাতে সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে ভারত এক বড় সাফল্য অর্জন করেছে। ডিআরডিও (DRDO) পরবর্তী প্রজন্মের রাডার ও ইলেকট্রনিক ওয়ারফেয়ার সিস্টেমে ব্যবহারের জন্য নিজস্ব প্রযুক্তিতে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) প্রযুক্তি উদ্ভাবন করেছে।
প্রতিরক্ষা মন্ত্রকের বার্ষিক রিপোর্ট অনুযায়ী, ডিআরডিও (DRDO) সফলভাবে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-ভিত্তিক এমএমআইসি (MMIC) প্রযুক্তি উদ্ভাবন ও পরীক্ষা করেছে, যা এক্স-ব্যান্ডে (X-band) কাজ করতে সক্ষম। উল্লেখযোগ্য যে, মাত্র ৩.৫×৩ মিলিমিটার আকারের একটি দেশীয় GaN চিপ ৩০ ওয়াট পর্যন্ত শক্তি সরবরাহ করতে পারে। প্রচলিত সিলিকন প্রযুক্তির তুলনায় এর কার্যক্ষমতা প্রায় ৩০০ গুণ বেশি বলে জানা গেছে।
এই প্রযুক্তিটি রাডার, ইলেকট্রনিক ওয়ারফেয়ার জ্যামার, যোগাযোগ ব্যবস্থা, নজরদারি সরঞ্জাম এবং ড্রোন সিস্টেমে ব্যবহার করা যেতে পারে। এই প্রচেষ্টায় ডিআরডিও (DRDO)-র সলিড স্টেট ফিজিক্স ল্যাবরেটরি (SSPL) অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করেছে। এছাড়া, গবেষণাগারটি সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার তৈরির একটি নিজস্ব পদ্ধতিও উদ্ভাবন করেছে। GaN এবং SiC প্রযুক্তি প্রতিরক্ষা সরঞ্জামের আকার ও ওজন কমাতে এবং একই সাথে সেগুলোর ক্ষমতা ও কার্যকারিতা বৃদ্ধি করতে সহায়তা করবে।
বিদেশি উৎসের ওপর নির্ভরতা হ্রাস
এতদিন ধরে ভারত GaN-এর মতো উন্নত যন্ত্রাংশের জন্য মূলত অন্যান্য দেশের ওপর নির্ভর করে এসেছে। অনেক দেশই এই প্রযুক্তির রপ্তানির ওপর বিধিনিষেধ আরোপ করেছে। এখন ভারত দ্রুতগতিতে এই প্রযুক্তির দেশীয় উন্নয়ন ও উৎপাদনের পথে এগিয়ে চলেছে। ডিআরডিও (DRDO) এক্স-ব্যান্ড (X-band) পর্যন্ত কার্যকর রাডার এবং অন্যান্য ব্যবস্থার ক্ষেত্রে এই প্রযুক্তির সফল ব্যবহার প্রদর্শন করেছে। এছাড়া, স্বল্প-মাত্রার নয়েজযুক্ত সংকেত শনাক্তকরণ এবং শক্তিশালী সংকেত প্রেরণে সক্ষম সরঞ্জামও দেশীয় প্রযুক্তিতে তৈরি করা হয়েছে।
GaN সেমিকন্ডাক্টর তৈরির চুক্তি
উন্নতমানের GaN সেমিকন্ডাক্টর তৈরির লক্ষ্যে iDEX উদ্যোগের আওতায় ‘অগ্নিট সেমিকন্ডাক্টরস’ (Agnit Semiconductors)-এর সাথে একটি চুক্তি স্বাক্ষরিত হয়েছে। এই অর্জনকে ‘আত্মনির্ভর ভারত’ গড়ার লক্ষ্য পূরণ এবং প্রতিরক্ষা খাতে দেশীয় সেমিকন্ডাক্টর সক্ষমতা জোরদার করার পথে একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ হিসেবে বিবেচনা করা হচ্ছে।
